如何在板子上测量三极管 可控硅 场效应管是否坏掉？
Troode和fet的规则是电子技术初学者的基本技能。四个骆驼：“三只骆驼颠倒，寻找基本柱； PN结，固定管型；光滑的箭头，部分弯曲；不准确，移动嘴。
” 最终类型的场影响管的试管的鉴定应放在Terse r x 1k中，并使用两个片剂在管子的两英尺之间测量阳性和反向电阻。
当管子的脚之间的正和反向电阻相等时，均为d和源s的脚是d和源s（交换），用于拉伸 - 型型磁场影响4英尺管的管子，另一个是领子支柱（使用中间地面）。
红色桌子笔在门上使用多个杆子的黑色桌子的裁定，分别没有触摸其他两个极。
如果测得的电阻的值很小，则意味着它是正电阻。
制造过程确定了野外效应管的来源是相同的，并且可以用于使用，因此无需区分。
来源和损耗之间的抵抗力约为数千欧元。
ISIS效应管网络应该谨慎。
只要在测量过程中有少量充电，就可以在极盖上形成高电压，这很容易损坏管子。
因此，该方法不能用于确定ISIS效应网络。
估计现场效应管的放大能力，并将多尺度连接到r -100齿轮，并连接红色平板电脑系统与S源连接，而黑表笔连接排水D，这相当于添加1.5电压电源电压到现场效应管。
目前，针灸点表示极电阻D-S的值。
然后将手指使用到G网络，然后将人体的感应电压作为输入信号添加到网络中。
由于管的扩增，UDS和ID都会改变，这等同于改变极性D-S。
如果在小手很小时烹饪的手烹饪，则意味着管子扩大的能力很弱。
为了保护MOS场效应管，有必要保持手动旋转手柄，并使用触摸门的金属柱来防止煽动人体直接添加到网络上并损坏管子的电荷。
每个MOS管后，将充电少量的G-S节点，并建立大电压。
圆圈。
现场影响管道参数包括持续的电流参数，频率电流和最大参数。
其中，IDSS-泄漏电流饱和，向上电压，电压，电压，GM -CROSS -GUIDANE，芽 - 泄漏源电压，PDSM-最大最大色散，IDSM-最大电流源和其他参数。
不时小心。
甲状腺（SCR）具有高压电阻，大容量和小尺寸的优势，这是高能力的半导体。
道路上的硅包含三个开创性的脚：阳极A，校园K，对极g的控制。
第1个方向晶闸管包括第一个阳极A1（T1），第二个阳极A2 A2（T2）和G.的G.。
在单向硅酮检测中，使用对全局r*1表，红色和黑色表的选择的电阻，以测量任意和后方电阻，以找到数十个欧姆的一对指甲。
黑色笔太平洋引脚主导了G杆，红色笔太平洋引脚是Kathod K，另一个空的是A。
用于测量前电阻，反之亦然。
如果其中一个是欧姆，则连接到红色和黑色表的两个凹坑是第一个Anud A1和极性控制G，另一个空的是第二个Anud A2。
当发现大能量本层时，应将1.5伏的干电池连接到多种黑色笔以增加扳机电压。
首先，通过多计划R*1K测量晶体门之间的区别，以测量三英尺之间的电阻。
然后将多个刻度放在简短的r*10k中，用手指将其他水分和脚放在脚上，并防止脚连接。
晶闸管的额定电压如何选取
正方向电压的最大值和晶体网关的反向波峰电压用作设备的标称电压，在选择过程中考虑了2至3次的边缘量。PS，这本书写在书中，如名义张力。
紧张。
